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使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件技术
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下载使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件的技术资料
文档序号:15022122
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本发明涉及使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件。在单晶半导体衬底(500a)中形成第一掺杂区(115)。经过处理表面(102a)将轻离子(499)注入到半导体衬底(500a)中以在第一掺杂区(115)和处理表面(102a)之间生成...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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