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本发明提供一种石墨壳的制备工艺，其特征是：靶磁控溅射制备的铜薄膜放入射频等离子体增强化学气相沉积设备(RF-PECVD)的反应室中，采用DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射镀膜设置来制备厚度为80nm的铜薄膜，使用的基片为单晶Si200，靶材是...
该专利属于平度市华东石墨加工厂所有，仅供学习研究参考，未经过平度市华东石墨加工厂授权不得商用。

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