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本发明公开了一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构，该器件结构由发射体和电极构成；所述发射体由两段一维纳米材料组成，其一段为用于发射电子的N型掺杂半导体，另一段为P型掺杂半导体，或者是能与所述N型掺杂半导体形成肖特基接触的金属；所述两段一...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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