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本实用新型涉及的是晶体生长的坩埚盖，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。本结构采用单层圆形钼板压制而成，均衡冷坩埚内的保温性；钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点...
该专利属于福建鑫晶精密刚玉科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建鑫晶精密刚玉科技有限公司授权不得商用。

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