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一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管-石墨烯杂化体的方法技术
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文档序号:14966764
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本发明涉及一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管-石墨烯杂化体的方法。包括(1)将厚度为100-300μm的冷轧Cu30Mn70合金带用去离子水清洗后干燥,置于浓度为0.05-0.1mol/L的稀盐酸溶液中进行去合金化腐蚀,直到基本无气泡溢...
该专利属于天津工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津工业大学授权不得商用。
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