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本发明提供了一种GaN HEMT器件制作方法，HEMT器件外延制作时，首先采用MBE或MOCVD方法生长一层较薄的AlXGa1-XN成核层，利用纳米压印、刻蚀等技术，在AlXGa1-XN成核层上刻蚀出尺寸较小的图形；采用该图形化的AlXGa...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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