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本实用新型公开了一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置，用于对晶硅表面进行氧化处理，其特征在于，包括：羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解...该专利属于辛煜;苏州八九昱昊材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过辛煜;苏州八九昱昊材料科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置，用于对晶硅表面进行氧化处理，其特征在于，包括：羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解...