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一种MOSFET保护电路制造技术
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文档序号:14951404
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本实用新型公开了一种MOSFET保护电路,包括控制器MCU、第三限流电阻R3、MOSFET驱动器U1、第四驱动限流电阻R4、MOSFET管Q1、第六电流取样电阻R6,设置在第六电流取样电阻R6两端的差分放大电路、电连接差分放大电路的RC延时...
该专利属于成都威特电喷有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都威特电喷有限责任公司授权不得商用。
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