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本发明公开了一种超结器件的拐角结构及采用该拐角结构的超结器件，将拐角区域内的长条形的第二导电类型的掺杂图案，根据拐角的边界变化(由直线变成了曲线)，作出相应的结构图案优化调整，使在拐角区域内的第一导电类型掺杂与第二导电类型掺杂的面积比例与普...
该专利属于成都星芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都星芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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