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本发明提供了一种GaN器件的制作方法及GaN器件。该方法包括：提供生长衬底，在生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞；在生长衬底的上表面形成外延片，外延片包括位于生长衬底的上表面孔洞上横向生长的成核层和位于成核层上的GaN器件结构；在外延...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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