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本发明提供了一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法，所述应变测量方法包括如下步骤：a、搭接双程MZ结构，所述双程MZ结构包括光源、第一光耦合器、第二光耦合器以及第一光纤、第二光纤、第三光纤和第四光纤；b、将长周期光纤光栅熔接到所...
该专利属于北京信息科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京信息科技大学授权不得商用。

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