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本发明提供一种MEMS器件及其形成方法。其中MEMS器件包括：位于半导体基底上的第一介质层，覆盖在第一介质层上的第二介质层，第一介质层内开设开口，所述第一介质层和第二介质层在所述开口处围成一空腔；在空腔内设有振动膜片，振动膜片的一端悬空设置...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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