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本发明公开了一种基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)在蓝宝石衬底上转移一层石墨烯；(2)在石墨烯上磁控溅射氮化铝成核层；(3)在表面进行热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V-...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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