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本发明涉及能够在III-V族化合物半导体MOSFET(FET)中使用的III-V族化合物半导体纳米线，该III-V族化合物半导体MOSFET(FET)能够以较小的亚阈值(小于等于100mV/dec)动作。III-V族化合物半导体纳米线的侧面...
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