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本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于离子注入的GaN功率器件，包括SiC衬底和在SiC衬底上从下至上依次形成的GaN缓冲层、GaN沟道层及AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层与GaN沟道层形成异质结构，并在异质结界面处形成二维电子...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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