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本发明涉及基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法。本发明氧化处理的单晶硅片Si作为绝缘基体，在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端，分别取硝酸锌和氯化锡的混合粉末溶于去离子水或有机溶剂中，搅拌得到均匀溶液作为前驱体，将前驱体通过非雾化喷...
该专利属于扬州大学所有，仅供学习研究参考，未经过扬州大学授权不得商用。

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