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本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制作方法。LDMOS晶体管包括一半导体基底、一绝缘结构、一栅极结构以及多个浮接电极。绝缘结构设置于半导体基底中。栅极结构设置于半导体基底上。浮接电极嵌入绝缘结构中，其中最接近栅极...
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