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本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极；以及Fin‑HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅极和源极，其中，所述...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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