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本发明公开了一种级联增强型HEMT器件，包括主要由第一、二半导体组成的异质结构，第一、二栅电极，第一、二源电极以及第一、二漏电极；第一栅电极设于第一源、漏电极之间，第二栅电极设于第二源、漏电极之间，第一源、漏电极之间和第二源、漏电极之间还分...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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