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一种高亮度LED芯片的制备方法，通过控制ITO导电扩展层的蒸镀环境来控制薄膜的结晶质量，从而改善薄膜的电阻率，控制薄膜的方块电阻，蒸镀ITO的过程中腔体温度保持在290～310℃，氧气流量为5～15sccm，腔体真空度保持在5×10‑4～1...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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