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本发明涉及一种漏电测试结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阱区和至少一个注入窗口，从所述注入窗口注入的离子的类型与所述形成阱区的类型一致，所述类型为P型或N型；位于所述阱区上方的依次层叠的导电层和绝缘层；嵌入在所述绝缘层中的至少两个接...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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