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本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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