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本发明涉及晶体管制备技术领域，尤其是一种透明氧化物半导体薄膜的制备方法，包括步骤一：将金属硝酸盐溶液转移至一基底上，并在所述基底上固化后形成前驱体薄膜；步骤二：将形成有所述前驱体薄膜的基底置于热台上进行热处理；其中，所述热台温度不低于200...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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