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本发明涉及带有电荷转移的C‑MOS类型的光电单元，包括：嵌入的光电二极管(PPD)，其能够曝光至光子，并由在衬底中的第一类型的掺杂区域形成，所述衬底具有相反的类型；以及用于将通过光电二极管曝光至光子所产生的电荷转移至浮动扩散(FD)的构件；...
该专利属于新成像技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过新成像技术公司授权不得商用。

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