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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成若干分立的光刻胶牺牲层；对所述光刻胶牺牲层进行硅烷化处理，将光刻胶牺牲层的侧壁和顶部部分光刻胶材料转化为硅烷化层；对所述硅烷化层进行氧化处理，将硅烷化层...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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