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本发明涉及一种应用在功率半导体场效应晶体管器件中的带有超级结结构设计的半导体器件，在半导体器件的一个有源区的外延层中形成的第二导电类型的多个第一立柱，在半导体器件的一个终端区的外延层中形成的第二导电类型的多个第二立柱，位于有源区和终端区之间...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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