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本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法，首先采用传统固相合成的方法，配制出不同组分的陶瓷样品；其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系；然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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