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本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其利用选择性生长方式形成分段的量子井，避免光子在LED内量子井的再吸收效应，使得外部萃取效率提升，亮度增加。所述发光二极管包括发光二极管，依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层的...
该专利属于天津三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津三安光电有限公司授权不得商用。

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