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本发明谐振式硅微传感器下膜片的加工方法涉及传感器领域，具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法，包括以下步骤：选取双面抛光的N型硅晶片，电阻率为0.1‑1Q·cm，厚度为2mm，热氧化生长一层1um厚的SiO2，然后利用低压化学气相淀积或者...
该专利属于陕西启源科技发展有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西启源科技发展有限责任公司授权不得商用。

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