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本发明探针式六维力传感器加工方法涉及传感器加工领域，具体涉及探针式六维力传感器加工方法，包括以下步骤：选择N型晶向的双面抛光单晶硅片，厚度350um，电阻率5Ω·cm‑15Ω·cm，经化学清洗后，采用热氧化工艺在硅片正反两面同时生长一层二氧...
该专利属于陕西启源科技发展有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西启源科技发展有限责任公司授权不得商用。

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