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本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS-TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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