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本申请发明的溅射靶是含有0.5～10at％的选自Ni及Al中的至少一种金属元素、及0.01～10000重量ppm的B或P，剩余部分由Si及不可避免的杂质构成的烧结体，所述烧结体的体积电阻为10Ω·cm以下，并且，理论密度比为85％～99％，...
该专利属于三菱综合材料株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱综合材料株式会社授权不得商用。

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