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本发明公开了一种RFLDMOS器件，在P衬底上形成有P掺杂浓度不同的两层P外延；底部的第一层P外延的P掺杂较浓，顶部的第二层P外延的P掺杂较淡，并在从接触柱直到多晶硅栅下方的P外延中形成有P埋层，P型沟道区所在的第二层P外延的P掺杂较淡，可...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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