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本发明涉及一种MEMS惯性传感器件,其结构包括依次通过硅硅键合的硅盖帽层、器件结构层以及硅柱垂直导通层,所述硅盖帽层上具有供所述器件结构层动作的空腔;所述器件结构层上蚀刻有梳齿结构以及与部分所述梳齿结构连接的锚区结构;所述硅柱垂直导通层上蚀...该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种MEMS惯性传感器件,其结构包括依次通过硅硅键合的硅盖帽层、器件结构层以及硅柱垂直导通层,所述硅盖帽层上具有供所述器件结构层动作的空腔;所述器件结构层上蚀刻有梳齿结构以及与部分所述梳齿结构连接的锚区结构;所述硅柱垂直导通层上蚀...