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本发明提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N-漂移层，所述N-漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内...该专利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司授权不得商用。