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本公开内容涉及导电桥存储器系统及其制造方法。一种导电桥存储器系统及其制造方法包括：在下电极上提供具有孔的介电层，所述孔在下电极上方；在下电极上方并在所述孔中形成离子源层，该步骤包括：在下电极上方沉积再活化层，在再活化层上沉积第一离子源层，在...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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