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本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种超结器件外延片的制作方法，包括：在第一导电类型半导体单晶片的第一表面形成交替相邻的多个沟槽和多个台面；在所述台面和所述沟槽的侧壁倾斜注入第二导电类型的掺杂剂，形成第二导电类型的掺杂区；去除所述台面上的第...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。