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薄膜晶体管的制备方法，属于半导体显示技术领域，本发明包括下述步骤：1)ITO玻璃衬底基片清洗；2)制备Al2O3:PVP绝缘层：ITO玻璃衬底上旋涂Al2O3:PVP前驱体溶液，然后在200℃～250℃条件下退火，然后重复旋涂——退火至少一...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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