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本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第三半导体层；所述第三...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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