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本发明涉及制备高纯致密ＭｇＡｌＯＮ陶瓷的方法及高纯致密ＭｇＡｌＯＮ陶瓷，其方法以ＭｇＯ、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］及ＡｌＮ为原料，球磨成混合粉料，采用放电等离子烧结技术，通过适当的烧结工艺制备出具有一定化学组成的高纯致密ＭｇＡｌＯＮ陶瓷。它实现...
该专利属于清华大学深圳研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学深圳研究生院授权不得商用。

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