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本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，将金属源CdSO4、硫源Na2S2O3、含SO32‑的硫源释放控制剂及H2SO4溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍...
该专利属于岭南师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过岭南师范学院授权不得商用。

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