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一种多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及生长方法，所述多孔石墨坩埚包括籽晶区、晶体生长区、料仓区和坩埚盖四部分；所述生长设备还包括炉膛、下降装置和铜感应加热线圈，所述炉膛的上方和下方设有通气孔，所述炉膛内壁、铜感应线圈和下降杆表面镀有镍层...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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