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本发明公开了一种Ｃ／ＳｉＣ陶瓷基复合材料的低温制备方法，该方法利用有机聚合物先驱体的低温陶瓷化特性，以碳纤维为增强体，采用先驱体浸渍裂解工艺，通过碳纤维预处理、真空浸渍、高温裂解、致密化等工艺步骤，在低温条件下制备得到Ｃ／ＳｉＣ陶瓷基复合材...
该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。

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