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碳化硅半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:14707495
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在正面元件结构形成后,从n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)离子注入p型杂质。接下来,从n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)照射激光,使p型杂质活化而形成p型集电层(4)。接下来,在n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)形成势垒金...
该专利属于富士电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机株式会社授权不得商用。
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