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本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约５０％摩尔比到约７５％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约１...
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