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本发明公开了一种长寿命的LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底，所述衬底上自下而上依次形成的外延层、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，其中所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，将所述P型半导体层一侧刻蚀至所述N...
该专利属于东莞市佳乾新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市佳乾新材料科技有限公司授权不得商用。

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