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本发明公开了镁掺杂的稀土氮化物材料，其中的一些为半绝缘的或绝缘的。本发明还公开了制备所述材料的方法。所述镁掺杂的稀土氮化物材料可以用于例如电子自旋器件、电子器件和光电器件的制造。...
该专利属于F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;S·A·韦齐恩所有，仅供学习研究参考，未经过F·纳塔利;B·J·鲁克;H·J·特罗达尔;S·A·韦齐恩授权不得商用。

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