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本发明公开了一种图形化精细导电薄膜，其包括基底和图形化精细电极，图形化精细电极放置于基底上或嵌入到基底中，图形化精细电极的电极的宽度在50nm‑10μm之间，高度在10nm‑10μm之间，表面粗糙度在0.1nm到100nm之间。本发明同时还...该专利属于苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学授权不得商用。