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本发明涉及一种光电气器件(5)，包括：含有面(12)的半导体衬底(10)；发光二极管(DEL)，其被布置在所述面上且包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件(20)；以及覆盖所述发光二极管的至少部分透明的介电层(34)，所述介电层的折射率处于1...该专利属于艾利迪公司;原子能与替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过艾利迪公司;原子能与替代能源委员会授权不得商用。
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本发明涉及一种光电气器件(5)，包括：含有面(12)的半导体衬底(10)；发光二极管(DEL)，其被布置在所述面上且包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件(20)；以及覆盖所述发光二极管的至少部分透明的介电层(34)，所述介电层的折射率处于1...