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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置在具有沟槽电极、势垒区、柱区的二极管中抑制了上部电极层的裂纹。在半导体装置中，在层间绝缘膜上形成有第一接触孔和宽度较窄的第二接触孔。在第二接触孔内配置有接触插头。跨及层间绝缘膜上、接触插头...
该专利属于丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。

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